E fuente di lus LED mas trempan, ku ta utilisá e prinsipio di emishon di lus- di un junshon di semikonduktor P-N, a wòrdu inventá na kuminsamentu di añanan 1960. E material ku a usa e tempu ei tabata GaAsP, ku tabata emití lus kòrá (λp=650nm). Ku un koriente di 20 mA, e fluho luminoso tabata solamente algun miles di un lumen, resultando den un efisiensia luminoso di aproksimadamente 0.1 lumen/watt.
Na mitar di añanan 1970, e introdukshon di elementonan In i N a permití LEDnan pa produsí lus bèrdè (λp=555nm), hel (λp=590nm), i oraño (λp=610nm), i e efisiensia luminoso a mehorá te na 1 lumen/watt.
Na kuminsamentu di añanan 1980, fuentenan di lus GaAlAs LED a aparesé, loke a permití LEDnan kòrá pa logra un efisiensia luminoso di 10 lumen/watt.
Na kuminsamentu di añanan 1990, e desaroyo eksitoso di dos material nobo-GaAlInP (ku ta emití lus kòrá i hel) i GaInN (ku ta emití lus bèrdè i blou)-a mehorá e efisiensia luminoso di LEDnan signifikantemente. Na 2000, e promé a produsí LED ku un efisiensia luminoso di 100 lumen pa watt den e regionnan kòrá i oraño (λp=615nm), miéntras ku e último a produsí LED ku un efisiensia luminoso di 50 lumen pa watt den e region bèrdè (λp=530nm).
